توصل فريق العلماء في شركة (IBM) ومعهد (Georgia Institute ofTechnology) الى اختراع أول ترانسستور مصنوع من السليكون والجرمانيوم قادر على العمل على ذبذبات تصل قيمتها الى حوالي 500 جيجاهرتز. وهذا يعيد رسم حدود أداء أشباه الموصلات، المصنوعة من السليكون، التي قد تصبح جبارة.
وستختلق الترانسستورات المصنوعة من السليكون والجرمانيوم، ذات الذبذبات العالية جداً، عدة تطبيقات هامة، من أنظمة الاتصالات والأنظمة الدفاعية الى الأنظمة الإلكترونية الفضائية وأنظمة الاستشعار.
كما أن التوصل الى هذه السرعة الفائقة بواسطة تكنولوجيا السليكون هام للغاية باعتبار أن تلك الترانسستورات يمكن صنعها عن طريق التقنيات التقليدية ذات الكلفة المنخفضة وعلى شكل واسع النطاق.
منقول
